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原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。

感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線(xiàn)圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的次級(jí)線(xiàn)圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

RIE等離子刻蝕機(jī)SI 591：預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。樣品直徑大可達(dá)200mm，通過(guò)載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項(xiàng)的小占地面積操作。

RIE Etchlab 200等離子刻蝕機(jī)根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200可升級(jí)為更大的真空泵組，預(yù)真空室和更多的氣路。

等離子刻蝕機(jī)由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

進(jìn)口深硅刻蝕：三螺旋平行板天線(xiàn)(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

反應(yīng)離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶(hù)友好軟件與模擬圖形用戶(hù)界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶(hù)管理。